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MMBTH11

MMBTH11

僅供參考

型號 MMBTH11
PNEDA編號 MMBTH11
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 50,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH11資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH11
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH11, MMBTH11數據表 (總頁數: 10, 大小: 240.77 KB)
PDFMPSH11_D27Z數據表 封面
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MMBTH11規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

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10V

頻率-過渡

1.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.6dB @ 0.4GHz

增益

13dB @ 0.4GHz

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Renesas Electronics America Inc.

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 2V

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65mA

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

-

功率-最大

330mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

45GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

10.5dB ~ 28dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 13mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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