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MMBTH10RG

MMBTH10RG

僅供參考

型號 MMBTH10RG
PNEDA編號 MMBTH10RG
描述 RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10RG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10RG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10RG, MMBTH10RG數據表 (總頁數: 4, 大小: 225.9 KB)
PDFMMBTH10RG數據表 封面
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MMBTH10RG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
頻率-過渡450MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

15.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.11dB ~ 9.69dB

功率-最大

170W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

27A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

14dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

頻率-過渡

500MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 20mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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