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MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

僅供參考

型號 MMBTH10M3T5G
PNEDA編號 MMBTH10M3T5G
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10M3T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10M3T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10M3T5G, MMBTH10M3T5G數據表 (總頁數: 5, 大小: 119.8 KB)
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MMBTH10M3T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大265mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝SOT-723

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

5.5dBi

功率-最大

260W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M168

供應商設備包裝

M168

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

17GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

11dB ~ 19dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 15mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

42GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

27.5dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 25mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

4-TSFP

BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

37GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

10.5dB ~ 21.5dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 80mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

45GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

10.5dB ~ 28dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 13mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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