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MMBTA55

MMBTA55

僅供參考

型號 MMBTA55
PNEDA編號 MMBTA55
描述 TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA55資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA55
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA55, MMBTA55數據表 (總頁數: 6, 大小: 324.15 KB)
PDFMMBTA55數據表 封面
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MMBTA55規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 5V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 1V

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1.25W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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制造商

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系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 1.5mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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