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MMBTA06WT1

MMBTA06WT1

僅供參考

型號 MMBTA06WT1
PNEDA編號 MMBTA06WT1
描述 TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA06WT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA06WT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA06WT1, MMBTA06WT1數據表 (總頁數: 5, 大小: 69.4 KB)
PDFMMBTA06WT1數據表 封面
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MMBTA06WT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大150mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 20mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3, Formed Leads

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 1mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 2mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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