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MMBT2222AWT3G

MMBT2222AWT3G

僅供參考

型號 MMBT2222AWT3G
PNEDA編號 MMBT2222AWT3G
描述 TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 187,926
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT2222AWT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT2222AWT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT2222AWT3G, MMBT2222AWT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.46 KB)
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MMBT2222AWT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大150mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 5A, 24A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

9 @ 24A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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370mV @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1.5A, 2V

功率-最大

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