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MJW21193

MJW21193

僅供參考

型號 MJW21193
PNEDA編號 MJW21193
描述 TRANS PNP 250V 16A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJW21193資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJW21193
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJW21193, MJW21193數據表 (總頁數: 7, 大小: 119.02 KB)
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MJW21193規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 3.2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 8A, 5V
功率-最大200W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1250 @ 10A, 3V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 10A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

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1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1A, 1V

功率-最大

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工作溫度

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