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MJW18020G

MJW18020G

僅供參考

型號 MJW18020G
PNEDA編號 MJW18020G
描述 TRANS NPN 450V 30A TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJW18020G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJW18020G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJW18020G, MJW18020G數據表 (總頁數: 5, 大小: 105.99 KB)
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MJW18020G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 4A, 20A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce14 @ 3A, 5V
功率-最大250W
頻率-過渡13MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10µA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

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4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 600mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2.5A, 5V

功率-最大

35W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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