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MJF45H11

MJF45H11

僅供參考

型號 MJF45H11
PNEDA編號 MJF45H11
描述 TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJF45H11資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJF45H11
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJF45H11, MJF45H11數據表 (總頁數: 5, 大小: 151.57 KB)
PDFMJF45H11數據表 封面
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MJF45H11規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大2W
頻率-過渡40MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 300mA, 5V

功率-最大

1.2W

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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