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MJD41CT4G

MJD41CT4G

僅供參考

型號 MJD41CT4G
PNEDA編號 MJD41CT4G
描述 TRANS NPN 100V 6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 73,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD41CT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD41CT4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD41CT4G, MJD41CT4G數據表 (總頁數: 7, 大小: 84.04 KB)
PDFMJD42CRL數據表 封面
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MJD41CT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

110mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 1.5V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 3V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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