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MJD32C-TP

MJD32C-TP

僅供參考

型號 MJD32C-TP
PNEDA編號 MJD32C-TP
描述 TRANS PNP 100V 3A DPAK
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 20,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD32C-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD32C-TP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD32C-TP, MJD32C-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 494.5 KB)
PDFMJD32C-TP數據表 封面
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MJD32C-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大1.25W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 25mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 250mA, 10V

功率-最大

20W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

165mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

380MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

700V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4 @ 2A, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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