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MJD31CITU

MJD31CITU

僅供參考

型號 MJD31CITU
PNEDA編號 MJD31CITU
描述 TRANS NPN 100V 3A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 27 - 六月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD31CITU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD31CITU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD31CITU, MJD31CITU數據表 (總頁數: 9, 大小: 293.24 KB)
PDFMJD31CTF_SBDD001A數據表 封面
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MJD31CITU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大1.56W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 4mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

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工作溫度

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3A, 2V

功率-最大

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