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MJD31CETF

MJD31CETF

僅供參考

型號 MJD31CETF
PNEDA編號 MJD31CETF
描述 TRANS NPN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD31CETF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD31CETF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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MJD31CETF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 30mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

350MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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