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MJD29CTF

MJD29CTF

僅供參考

型號 MJD29CTF
PNEDA編號 MJD29CTF
描述 TRANS NPN 100V 1A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD29CTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD29CTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD29CTF, MJD29CTF數據表 (總頁數: 4, 大小: 46.99 KB)
PDFMJD29CTF數據表 封面
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MJD29CTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 1A, 4V
功率-最大1.56W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 3A, 5V

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 2A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2.5A, 10V

功率-最大

80W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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