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MG12100D-BA1MM

MG12100D-BA1MM

僅供參考

型號 MG12100D-BA1MM
PNEDA編號 MG12100D-BA1MM
描述 IGBT 1200V 160A 1000W PKG D
制造商 Littelfuse
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MG12100D-BA1MM資源

品牌 Littelfuse
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MG12100D-BA1MM
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MG12100D-BA1MM, MG12100D-BA1MM數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,852.84 KB)
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MG12100D-BA1MM規格

制造商Littelfuse Inc.
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)160A
功率-最大1000W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 100A (Typ)
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce8.58nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝D3

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

672W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

17.5nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 650A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

245W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.77nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

No

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