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MD918B

MD918B

僅供參考

型號 MD918B
PNEDA編號 MD918B
描述 TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MD918B資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MD918B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MD918B, MD918B數據表 (總頁數: 6, 大小: 232.76 KB)
PDFMD918B數據表 封面
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MD918B規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic900mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 3mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡600MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

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工作溫度

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

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