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MC9S08SH8MWJR

MC9S08SH8MWJR

僅供參考

型號 MC9S08SH8MWJR
PNEDA編號 MC9S08SH8MWJR
描述 IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20SOIC
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC9S08SH8MWJR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC9S08SH8MWJR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
MC9S08SH8MWJR, MC9S08SH8MWJR數據表 (總頁數: 343, 大小: 3,701.14 KB)
PDFMC9S08SH4MFK數據表 封面
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MC9S08SH8MWJR規格

制造商NXP USA Inc.
系列S08
核心處理器S08
核心大小8-Bit
速度40MHz
連接性I²C, LINbus, SCI, SPI
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量17
程序存儲器大小8KB (8K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小512 x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 12x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝20-SOIC

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

12

程序存儲器大小

4KB (2K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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I / O數量

21

程序存儲器大小

128KB (43K x 24)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 11x10/12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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核心大小

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連接性

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外圍設備

POR, WDT

I / O數量

22

程序存儲器大小

8KB (8K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 6V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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核心大小

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, WDT

I / O數量

-

程序存儲器大小

2MB (2M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

256K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.15V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 64x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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外圍設備

DMA, POR, WDT

I / O數量

82

程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

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RAM大小

16K x 8

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