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MC33151VDR2

MC33151VDR2

僅供參考

型號 MC33151VDR2
PNEDA編號 MC33151VDR2
描述 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC33151VDR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC33151VDR2
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
MC33151VDR2, MC33151VDR2數據表 (總頁數: 12, 大小: 246.85 KB)
PDFMC34151DR2數據表 封面
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MC33151VDR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電6.5V ~ 18V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.6V
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.5A, 1.5A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)31ns, 32ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.8V, 4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 12.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.3A, 7.6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

82ns, 12.5ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

17V (Max)

邏輯電壓-VIL,VIH

1.5V, 3.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

400mA, 650mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

50ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

14A, 14A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

22ns, 20ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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