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MC1413DR2G

MC1413DR2G

僅供參考

型號 MC1413DR2G
PNEDA編號 MC1413DR2G
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 251,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC1413DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC1413DR2G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MC1413DR2G, MC1413DR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 185.91 KB)
PDFMC1413DG數據表 封面
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MC1413DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

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工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SO

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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