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MC1413DR2

MC1413DR2

僅供參考

型號 MC1413DR2
PNEDA編號 MC1413DR2
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC1413DR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC1413DR2
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MC1413DR2, MC1413DR2數據表 (總頁數: 8, 大小: 185.91 KB)
PDFMC1413DG數據表 封面
MC1413DG數據表 頁面 2 MC1413DG數據表 頁面 3 MC1413DG數據表 頁面 4 MC1413DG數據表 頁面 5 MC1413DG數據表 頁面 6 MC1413DG數據表 頁面 7 MC1413DG數據表 頁面 8

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MC1413DR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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晶體管類型

8 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

2.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

18-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

18-DIP

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V / 130 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHZ, 250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

8 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

95V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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