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MC100EP35DTR2G

MC100EP35DTR2G

僅供參考

型號 MC100EP35DTR2G
PNEDA編號 MC100EP35DTR2G
描述 IC FF JK TYPE SNGL 1BIT 8TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC100EP35DTR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC100EP35DTR2G
類別半導體邏輯IC邏輯-觸發器
數據表
MC100EP35DTR2G, MC100EP35DTR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 83.78 KB)
PDFMC100EP35MNR4G數據表 封面
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MC100EP35DTR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列100EP
功能Reset
類型JK Type
輸出類型Differential
元素數1
每個元素的位數1
時鐘頻率3GHz
最大傳播延遲@ V,最大CL-
觸發類型Positive Edge
電流-輸出高,低-
電壓-供電-3V ~ -5.5V
當前-靜態(Iq)50mA
輸入電容-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

12mA, 12mA

電壓-供電

2V ~ 3.6V

當前-靜態(Iq)

40µA

輸入電容

4.5pF

工作溫度

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電流-輸出高,低

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觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

32mA, 64mA

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

當前-靜態(Iq)

190µA

輸入電容

4pF

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類型

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輸出類型

Differential

元素數

3

每個元素的位數

1

時鐘頻率

1.4GHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

-

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

-

電壓-供電

-4.2V ~ -5.5V

當前-靜態(Iq)

132mA

輸入電容

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輸出類型

Tri-State, Non-Inverted

元素數

1

每個元素的位數

8

時鐘頻率

125MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

9ns @ 5V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

15mA, 48mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

120mA

輸入電容

-

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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