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MBRT20060R

MBRT20060R

僅供參考

型號 MBRT20060R
PNEDA編號 MBRT20060R
描述 DIODE MODULE 60V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRT20060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRT20060R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRT20060R, MBRT20060R數據表 (總頁數: 3, 大小: 752.64 KB)
PDFMBRT20080R數據表 封面
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MBRT20060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 400V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.71V @ 1200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3400V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

380µA @ 60V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

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