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MBR2X030A080

MBR2X030A080

僅供參考

型號 MBR2X030A080
PNEDA編號 MBR2X030A080
描述 DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR2X030A080資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR2X030A080
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MBR2X030A080規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 80V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 60V

工作溫度-結點

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

工作溫度-結點

-

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

14.8ns

當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

27ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 200V

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