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MB85R1001ANC-GE1

MB85R1001ANC-GE1

僅供參考

型號 MB85R1001ANC-GE1
PNEDA編號 MB85R1001ANC-GE1
描述 IC FRAM 1M PARALLEL 48TSOP
制造商 Fujitsu Electronics
單價 請求報價
庫存 11,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85R1001ANC-GE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85R1001ANC-GE1
類別半導體內存IC內存
數據表
MB85R1001ANC-GE1, MB85R1001ANC-GE1數據表 (總頁數: 16, 大小: 498.33 KB)
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MB85R1001ANC-GE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁150ns
訪問時間150ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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-

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Quad Port, Synchronous

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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