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M95512-DRDW6TP

M95512-DRDW6TP

僅供參考

型號 M95512-DRDW6TP
PNEDA編號 M95512-DRDW6TP
描述 IC EEPROM 512K SPI 16MHZ 8SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M95512-DRDW6TP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M95512-DRDW6TP
類別半導體內存IC內存
數據表
M95512-DRDW6TP, M95512-DRDW6TP數據表 (總頁數: 54, 大小: 918.07 KB)
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M95512-DRDW6TP規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率16MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.2V

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