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M58BW16FB5ZA3F

M58BW16FB5ZA3F

僅供參考

型號 M58BW16FB5ZA3F
PNEDA編號 M58BW16FB5ZA3F
描述 IC FLASH 16M PARALLEL 80LBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58BW16FB5ZA3F資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58BW16FB5ZA3F
類別半導體內存IC內存
數據表
M58BW16FB5ZA3F, M58BW16FB5ZA3F數據表 (總頁數: 85, 大小: 800.39 KB)
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M58BW16FB5ZA3F規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (512K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.5V ~ 3.3V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱80-LBGA
供應商設備包裝80-LBGA (10x12)

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

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時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

144Kb (16K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

2.133GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

-40°C ~ 95°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (8M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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