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M29W800FB7AZA6F TR

M29W800FB7AZA6F TR

僅供參考

型號 M29W800FB7AZA6F TR
PNEDA編號 M29W800FB7AZA6F-TR
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W800FB7AZA6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W800FB7AZA6F TR
類別半導體內存IC內存

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M29W800FB7AZA6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

152-VBGA

供應商設備包裝

152-VBGA (14x18)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

TE28F256J3F105A

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

StrataFlash™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

105ns

訪問時間

105ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP (18.4x14)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Quad Port, Synchronous

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (13x15)

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