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M29W256GH7AZS6F TR

M29W256GH7AZS6F TR

僅供參考

型號 M29W256GH7AZS6F TR
PNEDA編號 M29W256GH7AZS6F-TR
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W256GH7AZS6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W256GH7AZS6F TR
類別半導體內存IC內存

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M29W256GH7AZS6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8, 16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

MT48LC32M8A2P-75:D TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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