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LE25S40MB-AH

LE25S40MB-AH

僅供參考

型號 LE25S40MB-AH
PNEDA編號 LE25S40MB-AH
描述 IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LE25S40MB-AH資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LE25S40MB-AH
類別半導體內存IC內存
數據表
LE25S40MB-AH, LE25S40MB-AH數據表 (總頁數: 22, 大小: 204.57 KB)
PDFLE25S40MB-AH數據表 封面
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LE25S40MB-AH規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁8ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Fremont Micro Devices Ltd

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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