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KSP45BU

KSP45BU

僅供參考

型號 KSP45BU
PNEDA編號 KSP45BU
描述 TRANS NPN 350V 0.3A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP45BU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP45BU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSP45BU, KSP45BU數據表 (總頁數: 9, 大小: 381.45 KB)
PDFKSP45BU數據表 封面
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KSP45BU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 10V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8A, 5V

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200W

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5A, 1V

功率-最大

60W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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E-Line (TO-92 compatible)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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