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KSD1616LBU

KSD1616LBU

僅供參考

型號 KSD1616LBU
PNEDA編號 KSD1616LBU
描述 TRANS NPN 50V 1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD1616LBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD1616LBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD1616LBU, KSD1616LBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 242.71 KB)
PDFKSD1616LPWD數據表 封面
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KSD1616LBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 100mA, 2V
功率-最大750mW
頻率-過渡160MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-96

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

2SC2655-Y(T6TOJ,FM

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Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200µA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 10V

功率-最大

15W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 2.5A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 4V

功率-最大

3W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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