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KSC3073OTU

KSC3073OTU

僅供參考

型號 KSC3073OTU
PNEDA編號 KSC3073OTU
描述 TRANS NPN 30V 3A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC3073OTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC3073OTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC3073OTU, KSC3073OTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 40.87 KB)
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KSC3073OTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3, Formed Leads

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 2A, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

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