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KSB744YSTU

KSB744YSTU

僅供參考

型號 KSB744YSTU
PNEDA編號 KSB744YSTU
描述 TRANS PNP 45V 3A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB744YSTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB744YSTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB744YSTU, KSB744YSTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 65.74 KB)
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KSB744YSTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 150mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡45MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 10V

功率-最大

-

頻率-過渡

55MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1A, 2V

功率-最大

150W

頻率-過渡

4MHz

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 10V

功率-最大

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