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KSB596O

KSB596O

僅供參考

型號 KSB596O
PNEDA編號 KSB596O
描述 TRANS PNP 80V 4A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB596O資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB596O
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB596O, KSB596O數據表 (總頁數: 6, 大小: 228.97 KB)
PDFKSB596O數據表 封面
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KSB596O規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)70µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 5V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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ON Semiconductor

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

2N2907AUB

TT Electronics/Optek Technology

制造商

TT Electronics/Optek Technology

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

275mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

260 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-PowerUDFN

供應商設備包裝

3-HUSON (2x2)

PN2222TA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10mV

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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