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KSA1243YTU

KSA1243YTU

僅供參考

型號 KSA1243YTU
PNEDA編號 KSA1243YTU
描述 TRANS PNP 30V 3A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA1243YTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA1243YTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA1243YTU, KSA1243YTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 39.32 KB)
PDFKSA1243YTU數據表 封面
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KSA1243YTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

725mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

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