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JANTXV2N3868S

JANTXV2N3868S

僅供參考

型號 JANTXV2N3868S
PNEDA編號 JANTXV2N3868S
描述 TRANS PNP 60V 0.003A TO39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3868S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3868S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3868S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/350
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 1.5A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 5A, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7000 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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