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JANTXV2N2919

JANTXV2N2919

僅供參考

型號 JANTXV2N2919
PNEDA編號 JANTXV2N2919
描述 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N2919資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N2919
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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JANTXV2N2919規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/355
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 1mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Microsemi Corporation

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

95V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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