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JANSR2N5153U3

JANSR2N5153U3

僅供參考

型號 JANSR2N5153U3
PNEDA編號 JANSR2N5153U3
描述 RH POWER BJT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANSR2N5153U3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANSR2N5153U3
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANSR2N5153U3規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/545
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 2.5A, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝U3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 2A, 4V

功率-最大

15W

頻率-過渡

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工作溫度

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

9 @ 750mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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