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JANSR2N5152U3

JANSR2N5152U3

僅供參考

型號 JANSR2N5152U3
PNEDA編號 JANSR2N5152U3
描述 RH POWER BJT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANSR2N5152U3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANSR2N5152U3
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANSR2N5152U3規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/544
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2.5A, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝U3

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

875mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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