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JANSR2N3501U4

JANSR2N3501U4

僅供參考

型號 JANSR2N3501U4
PNEDA編號 JANSR2N3501U4
描述 BJTS
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANSR2N3501U4資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANSR2N3501U4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANSR2N3501U4規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

3MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 160mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7 @ 800mA, 1V

功率-最大

50W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 800mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5A, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

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工作溫度

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