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JAN2N7370

JAN2N7370

僅供參考

型號 JAN2N7370
PNEDA編號 JAN2N7370
描述 TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 30 - 七月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N7370資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N7370
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N7370規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/624
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 120mA, 12A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 6A, 3V
功率-最大100W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
供應商設備包裝TO-254AA

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2.5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

250W

頻率-過渡

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-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

功率-最大

700mW

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