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JAN2N6383

JAN2N6383

僅供參考

型號 JAN2N6383
PNEDA編號 JAN2N6383
描述 TRANS NPN DARL 40V 10A TO-33
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N6383資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N6383
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N6383規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/523
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 100mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 3V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204AA (TO-3)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 3A, 4V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 4V

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500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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