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JAN2N5685

JAN2N5685

僅供參考

型號 JAN2N5685
PNEDA編號 JAN2N5685
描述 TRANS NPN 60V 50A TO-3
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $2,119.5004
50 ---------- $2,020.1488
100 ---------- $1,920.7973
200 ---------- $1,821.4457
400 ---------- $1,738.6527
500 ---------- $1,655.8597
庫存 470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N5685資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N5685
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N5685規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/464
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 10A, 50A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 25A, 2V
功率-最大300W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3 (TO-204AA)

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

112 @ 50mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 3V

功率-最大

15W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

215MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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