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JAN1N5526C-1

JAN1N5526C-1

僅供參考

型號 JAN1N5526C-1
PNEDA編號 JAN1N5526C-1
描述 DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5526C-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5526C-1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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JAN1N5526C-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/437
電壓-齊納(額定)(Vz)6.8V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 6.2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35 (DO-204AH)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

19.2V

公差

±6%

功率-最大

600mW

阻抗(最大值)(閽zt)

12 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 13V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

74.5V

公差

±6.04%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

20V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

50 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

20V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

25 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 14V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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