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J175,116

J175,116

僅供參考

型號 J175,116
PNEDA編號 J175-116
描述 JFET P-CH 30V 0.4W TO92
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J175資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J175,116
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J175, J175數據表 (總頁數: 6, 大小: 30.98 KB)
PDFJ176數據表 封面
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J175規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)125 Ohms
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7.3mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-206AC (TO-52)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 15V

電阻-RDS(On)

75 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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