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J106

J106

僅供參考

型號 J106
PNEDA編號 J106
描述 JFET N-CH 25V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $3.8381
250 ---------- $3.6582
500 ---------- $3.4783
1,000 ---------- $3.2984
2,500 ---------- $3.1484
5,000 ---------- $2.9985
庫存 2,889
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J106資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J106
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J106, J106數據表 (總頁數: 8, 大小: 545.92 KB)
PDFJFTJ105數據表 封面
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J106規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)200mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)6 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TO-92-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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制造商

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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