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IXTP32N65X

IXTP32N65X

僅供參考

型號 IXTP32N65X
PNEDA編號 IXTP32N65X
描述 MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP32N65X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP32N65X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP32N65X, IXTP32N65X數據表 (總頁數: 6, 大小: 212.16 KB)
PDFIXTH32N65X數據表 封面
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IXTP32N65X規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2205pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 10V

Vgs(最大)

+10V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

190A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11490pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

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Vgs(最大)

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-

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