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IXSN35N100U1

IXSN35N100U1

僅供參考

型號 IXSN35N100U1
PNEDA編號 IXSN35N100U1
描述 IGBT 64A 1000V SOT-227B
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $6.7228
100 ---------- $6.4077
250 ---------- $6.0926
500 ---------- $5.7774
750 ---------- $5.5148
1,000 ---------- $5.2522
庫存 7
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSN35N100U1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSN35N100U1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXSN35N100U1, IXSN35N100U1數據表 (總頁數: 6, 大小: 80.84 KB)
PDFIXSN35N100U1數據表 封面
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IXSN35N100U1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)38A
功率-最大205W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.5V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)750µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.18nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6nF @ 25V

輸入

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Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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300A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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輸入電容(Cies)@ Vce

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No

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