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IXSK35N120BD1

IXSK35N120BD1

僅供參考

型號 IXSK35N120BD1
PNEDA編號 IXSK35N120BD1
描述 IGBT 1200V 70A 300W TO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSK35N120BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSK35N120BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXSK35N120BD1, IXSK35N120BD1數據表 (總頁數: 2, 大小: 118.52 KB)
PDFIXSX35N120BD1數據表 封面
IXSX35N120BD1數據表 頁面 2

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IXSK35N120BD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)140A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 35A
功率-最大300W
開關能量5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)36ns/160ns
測試條件960V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264AA(IXSK)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 20A

功率-最大

227W

開關能量

470µJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

46nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/122ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

322ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

功率-最大

310W

開關能量

950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

211nC

25°C時的Td(開/關)

-/387ns

測試條件

600V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

HiPerFAST™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

400W

開關能量

4.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/350ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

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電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 40A

功率-最大

543W

開關能量

825µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/75ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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