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IXGT35N120B

IXGT35N120B

僅供參考

型號 IXGT35N120B
PNEDA編號 IXGT35N120B
描述 IGBT 1200V 70A 300W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGT35N120B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGT35N120B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGT35N120B, IXGT35N120B數據表 (總頁數: 2, 大小: 53.76 KB)
PDFIXGH35N120B數據表 封面
IXGH35N120B數據表 頁面 2

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IXGT35N120B規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)140A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.3V @ 15V, 35A
功率-最大300W
開關能量3.8mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用170nC
25°C時的Td(開/關)50ns/180ns
測試條件960V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 35A

功率-最大

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開關能量

390µJ (on), 632µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/105ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

120ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

217W

開關能量

1.55mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/260ns

測試條件

600V, 15A, 35Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

260ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

370µJ (on), 1.42mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/250ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

46ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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400V, 30A, 10Ohm, 15V

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